Высокоразрешающий электронный микроскоп

Высокоразрешающий электронный микроскоп

По существу это напыление пленки углерода, которая может образовывать тонкие прочные реплики, не обладающие заметно различимой собственной структурой. Второе — увеличение разрешения до тех значений, которые достигнуты сейчас.

В самом современном микроскопе можно достигнуть разрешения таких небольших расстояний, как 5-10 А. Этого еще недостаточно для исследования непосредственно атомных расстояний в металлах, так как их размер порядка ЗА. Однако, если выбрать кристалл с параметрами решетки, сравнимыми с пределом разрешения микроскопа, то можно «видеть» порядок атомов в кристалле. Этот эксперимент был проведен Ментером (1956 г.) на кристаллах медного и платинового фталоцианинов.

Эти большие плоские молекулы состоят в основном из углерода, азота и водорода с металлическим атомом в центре. Они образуют длинные, плоские, похожие на лепты кристаллы; поверхность ленты (001) и ось (010). Во фтало-цианине платины угол (001) (201) равен 88е, поэтому кристалл будет лежать на горизонтально расположенной пленке плоскостью (201) почти вертикально.

Расстояние между этими плоскостями 11,94 А. Следовательно, они лежат в подходящей для дифракции ориентации, и расстояние между ними должно быть разрешимо в электронном микроскопе.

На приложении III. 2 показана фотография, полученная Ментером съемкой на прохождение кристалла толщиной 200 А, при увеличении в полтора миллиона раз. Видно, что она состоит из очень хорошо различимых серий одинаково расположенных параллельных линий.

Расстояние между линиями 12 А, что, как мы видели, соответствует расстоянию между плоскостями (201) в кристалле фталоцианина платины. Это первое прямое наблюдение расположения молекул в кристалле.

При изучении фотографии обнаруживаются две основные черты. На большей части площади фотографии, показанной на приложении III. 2, молекулярный порядок удивительно регулярен, а также, как показывает приложение III. 3, можно обнаружить области, в которых находятся заметные дефекты.

Дополнительная доходящая до половины линия показывает, что внутри кристалла есть дислокация (Ментер, 1958 г.).

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *